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雙電測(cè)四探針測(cè)試儀采用了四探針雙位組合測(cè)量,利用電探針、電壓探針的變換，行兩次電測(cè)量，能自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響，從而提了測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確度。
雙電測(cè)四探針測(cè)試儀采用了四探針雙電測(cè)組合(亦稱雙位組合)測(cè)量新,將范德堡測(cè)量方法推廣應(yīng)用到直線四探針上,利用電探針、電壓探針的變換，在計(jì)算機(jī)控制下行兩次電測(cè)量，能自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響。因而每次測(cè)量不知道探針間距、樣品尺寸及探針在樣品表面上的位置。由于每次測(cè)量都是對(duì)幾何因素的影響行動(dòng)態(tài)的自動(dòng)修正，因此顯著降低了幾何因素影響，從而提
雙電測(cè)四探針測(cè)試儀采用了四探針雙電測(cè)組合(亦稱雙位組合)測(cè)量新,將范德堡測(cè)量方法推廣應(yīng)用到直線四探針上,利用電探針、電壓探針的變換，在計(jì)算機(jī)控制下行兩次電測(cè)量，能自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響。因而每次測(cè)量不知道探針間距、樣品尺寸及探針在樣品表面上的位置。由于每次測(cè)量都是對(duì)幾何因素的影響行動(dòng)態(tài)的自動(dòng)修正，因此顯著降低了幾何因素影響，從而提
儀器采用了電子行、裝配。具有能選擇直觀、測(cè)量取數(shù)快、度、測(cè)量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等點(diǎn)。如有需要可加配測(cè)試臺(tái)使用。 本儀器廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能單晶（多晶）廠家為硅材料的分選測(cè)試，半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、等院校對(duì)半導(dǎo)體材料的電阻性能測(cè)試。
儀器以大規(guī)模集成電路為核心件,采用平面輕觸式開關(guān)控制,及各種作狀態(tài)LED示.應(yīng)用微計(jì)算機(jī)，利用GSZ-HQ-710E型測(cè)量數(shù)據(jù)處理器，使得測(cè)量讀數(shù)更加直觀、快速，并能實(shí)現(xiàn)晶片厚度自行修正，打印出預(yù)置和測(cè)量、計(jì)算數(shù)據(jù)。整套儀器體積小、耗低、測(cè)量度、測(cè)試速度快、穩(wěn)定性好、易操作。
四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法家標(biāo)準(zhǔn)并參考美 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而的，用于測(cè)試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的用儀器。
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